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版主,各位学长学姐,我是UESTC的微电子学生,今年准备申请UIUC,UMich Ann Arbor的ECE PhD, 我的GRE发挥失常:VQA是 155+167+3.5, 尤其是这个3.5,非常担心会不会被Ann Arbor 直接刷了,所以问一下要不要重考?实在不想再复习GRE了
GPA:3.77/4 日本东北大学交换一学期: 5门2绩点:A(80-89),一门5绩点:B(70-79)
科研经历,1.能带计算:Physical Review Letters (IF 7.85)2作,不过现在审稿人1同意1反对1拿不出意见,接收希望比较大 2.ZnO Nanotube : Journal of Nanomaterial (IF 1.02) 2作 3.GaAs 传感器:Sensor (IF 2.02)2作
在日本做过一学期Fe系四元超导体,没有文章,不能证明啊。还有就是上过一门实验,实验老师是东北大一个很牛的教授年年PRL,他做的量子霍尔效应,恳求他写推荐信。
想申请UIUC,UMich的石墨烯器件,纳米电子材料,不知道G要不要重考,还有offer希望大不大呢?
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